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【2h】

TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY AND RUTHERFORD BACKSCATTERING STUDIES OF DIFFERENT DAMAGE STRUCTURES IN p+ IMPLANTED Si

机译：p +注入si中不同损伤结构的透射电子显微镜和RUTHERFORD反向散射研究

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作者
Sadana, D. K.; Strathman, M.; Washburn, J.; Booker, G. R.;
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年度 1980
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2. 先进的电子断层扫描技术在材料科学中的发展——基于透射电子显微镜和扫描透射电子显微镜 [J] . 李茂华, 杨延清, 黄斌, 中国有色金属学报：英文版 . 2014,第010期
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机译：P +注入Si中不同损伤结构的透射电子显微镜和Rutherford背散射研究
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